买卖IC网 >> 产品目录 >> SI5938DU-T1-GE3 MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI5938DU-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V
SI5938DU-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 +/- 8 V
漏极连续电流 7.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 39 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK-8 ChipFET Dual
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI5938DU-T1-GE3
SI5943DU-T1-E3
SI5943DU-T1-GE3
SI5944DU-T1-E3
SI5944DU-T1-GE3
SI5947DU-T1-E3
供应商
公司名
电话
深圳市品业电子有限公司 0755-23895664 李小姐
深圳市佳鑫特电子有限公司 13410505652 陈
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 17722658994 丽丽
深圳市特瑞斯科技有限公司 0755-82774819 李先生
  • SI5938DU-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价